IC库存(8958万) PDF资料(329万) IC价格 IC求购 资讯 技术资料
电子元器件搜索:
维库电子市场网是知名的电子元器件交易网站,为电子生产企业提供IC库存和技术资料查询服务。
Zetex晶体管提升电源功率密度
新闻出处:电子产品世界 发布时间:2007-11-15

模拟信号处理及功率管理解决方案供应商Zetex Semiconductors (捷特科) 公司,推出一系列微型NPN及PNP晶体管,以迎合新一代电源设备中MOSFET栅极驱动需求。全新的ZXTN及ZXTP晶体管是首次采用SOT23FF封装的双极器件,占板面积为2.5 x 3mm,板外高度只有1mm。它们可提供更低的饱和电压和更高的电流增益保持,有助于改善电路效率和降低工作温度。

Zetex亚太区销售副总裁李锦华表示:“我们最新的双极晶体管能够支持20V至100V的工作电压,使MOSFET栅极能以更高速度、更具效率地运行,胜过同类CMOS集成电路。它们同时还具有抗锁定功能,从而提升整个系统的可靠性。另外,由于产品采用SOT23FF封装,因此可以安装在最靠近MOSFET的位置,有助于降低线路电感和振铃效应。”

20V的 ZXTN19020CFF和ZXTP19020CFF能保证在7A和5A电流下分别提供100和110的增益。如果采用共发射极配置连接,它们更能提供极快速的切换,传播时间少于2ns,升降时间在10ns和20ns之间。该类产品的峰值电流性能高达15A,是用于栅极驱动集成电路极具成本效益的替代产品。



在用于POL DC-DC模块和应急照明设备的、采用自振荡和推挽拓朴结构的饱和式开关应用中,晶体管的低饱和电压能力可提供显著的优势。以额定电压为60V的ZXTN19060CFF NPN产品为例,它在1A电流和10mA基极驱动下的饱和电压仅为150mV,在2A电流和40mA基极驱动下为 135mV。


凡本网注明"稿件来源:“电子产品世界或者EEPW”的所有文字、图片和音视频稿
件,版权均属电子产品世界所有,任何媒体、网站或个人在转载、链接、转贴或以其他
方式复制发表时必须注明"稿件来源:“电子产品世界”并署作者名称。
关闭】 【打印
 
相关专题
友情链接:
© 2007 电测仪器网 网站地图