力晶半导体与日商瑞萨科技（Renesas）签订4Gb AG-AND快闪记忆体技转和产销合作协议。
       力晶决定将今年资本支出加码到新台币700亿元，扩大12M厂的装机规模，与瑞萨携手拓展全球商机。
      力晶总经理谢再居透露，现正加紧安装 12M厂的自动化生产控制系统，并催促设备供应商缩短机台交货时程，预计自第 4季新厂开始量产快闪记忆体。
      这项新协议是延续力晶与瑞萨在 1月所达成的 1GbAG-AND快闪记忆体合作，进一步将产品线扩展至更高容量的 4Gb机种。
      透过新合约，力晶将可全力投入高容量快闪记忆体市场，争取快速成长的庞大商机；瑞萨则将获得力晶旗下12寸晶圆厂的高效率产能支援，强化对既有快闪记忆体产品客户的服务。
      力晶董事长黄崇仁指出，鉴于快闪记忆体市场需求快速成长，包括三星、美光在内的全球主要DRAM大厂都已大举投入，为避免台湾记忆体产业在此新兴领域缺席，力晶决定导入瑞萨的先进技术，结合力晶的高效率量产优势，共同开拓商机。
      同时，因应快闪记忆体的量产布局，力晶决定将今年度资本支出（CAPEX）由原先的600亿元增加到700亿元，以加速12寸晶圆产能的扩增，因应高容量快闪记忆体与DRAM市场成长的需求。
      力晶 1月斥资逾50亿元，向旺宏电子购入12寸晶圆厂房并命名为12M厂。
      针对12M厂的装机进度，谢再居透露，力晶现正加紧安装 12M厂的自动化生产控制系统，并催促设备供应商缩短机台交货时程，预计自第 4季新厂开始量产快闪记忆体，新增的资本支出将可使 12M厂的产能在年底拉升到每月2万片，搭配力晶既有的12A、12B厂每月8万5000片产能，将可迅速建构快闪记忆体与DRAM两大产品线的量产经济规模。